BAR 66 E6327 全国供应商、价格、PDF资料
BAR 66 E6327详细规格
- 类别:RF 二极管
- 描述:DIODE ARRAY OVP 150V 200MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:Infineon Technologies
- 二极管类型:PIN - 1 对串联
- 电压_峰值反向333最大444:150V
- 电流_最大:200mA
- 电容0a0VrwwwwF:0.6pF @ 35V,1MHz
- 电阻0a0VrwwwwF:1.8 欧姆 @ 5mA,100MHz
- 功率耗散(最大):250mW
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:剪切带 (CT)
BAR 66 E6327详细规格
- 类别:RF 二极管
- 描述:DIODE ARRAY OVP 150V 200MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:Infineon Technologies
- 二极管类型:PIN - 1 对串联
- 电压_峰值反向333最大444:150V
- 电流_最大:200mA
- 电容0a0VrwwwwF:0.6pF @ 35V,1MHz
- 电阻0a0VrwwwwF:1.8 欧姆 @ 5mA,100MHz
- 功率耗散(最大):250mW
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:Digi-Reel®
BAR 66 E6327详细规格
- 类别:RF 二极管
- 描述:DIODE ARRAY OVP 150V 200MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:Infineon Technologies
- 二极管类型:PIN - 1 对串联
- 电压_峰值反向333最大444:150V
- 电流_最大:200mA
- 电容0a0VrwwwwF:0.6pF @ 35V,1MHz
- 电阻0a0VrwwwwF:1.8 欧姆 @ 5mA,100MHz
- 功率耗散(最大):250mW
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:带卷 (TR)
- 单二极管/齐纳 Micro Commercial Co TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER 350MW 3.3V SOT23
- RF 天线 Wurth Electronics Inc ANTENNA MULTILAYER SMD
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA TRANSISTOR NPN 45V 1.5A SOT-223
- 晶体 EPSON 圆柱形罐,径向 CRYSTAL 32.7680KHZ 12.5PF CYL
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 8200PF 50V 10% X7R 0402
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors DO-204AH,DO-35,轴向 DIODE ZENER 15V 500MW DO-35
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors DO-204AH,DO-35,轴向 DIODE VREG 4.7V 500MW DO-35
- 单二极管/齐纳 Vishay Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER SS 3.3V 300MW SOT23
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA TRANSISTOR NPN 45V 1A SOT223
- 晶体 EPSON 圆柱形罐,径向 CRYSTAL 32.7680KHZ 6.0PF CYL
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 8200PF 50V 10% X7R 0402
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors DO-204AH,DO-35,轴向 DIODE ZENER 5.1V 500MW DO-35
- 单二极管/齐纳 Fairchild Semiconductor DO-204AH,DO-35,轴向 DIODE ZENER 24V 500MW DO-35
- 单二极管/齐纳 Diodes Inc SC-70,SOT-323 DIODE ZENER 3.3V 200MW SC70-3
- RF 天线 Wurth Electronics Inc SC-70,SOT-323 ANTENNA MULTILAYER 5.1-5.3GHZ